【摘 要】
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用射频溅射法制备了金属/半导体Fex(In2O3)1-x颗粒膜.实验结果表明:纳米尺度的Fe颗粒比较均匀地分布在非晶态母体In2O3中.退火可使In2O3晶化 .该样品在室温下表现出超顺磁驰
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用射频溅射法制备了金属/半导体Fex(In2O3)1-x颗粒膜.实验结果表明:纳米尺度的Fe颗粒比较均匀地分布在非晶态母体In2O3中.退火可使In2O3晶化 .该样品在室温下表现出超顺磁驰豫,符合Langevin方程.光学测量表明:嵌Fe 的磁性颗粒膜,其电子的带间跃迁由In2O3的直接跃迁变为间接跃迁,基本吸收边红移;随磁性增强,局域态尾变宽,带隙变窄.
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