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本文报道中心频率为80MHz,带宽为7MHz,卷积效率达-57dBm的MZOS存储相关器;并分析、测量了该器件的结构和界面态密度,就界面态密度对存贮效应的影响作出讨论。文中还给出提高器件性能的几个方法。
声表面波MZOS存储相关器／卷积器
【摘 要】
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本文报道中心频率为80MHz,带宽为7MHz,卷积效率达-57dBm的MZOS存储相关器;并分析、测量了该器件的结构和界面态密度,就界面态密度对存贮效应的影响作出讨论。文中还给出提高器件性能的几个方法。
【机 构】
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东南大学无线电研究所,四川压电与声光研究所
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1990年04期
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