论文部分内容阅读
为了减少片上螺旋电感的金属导体损耗,基于200mm晶圆的铜后道互连工艺线,开发了适用于射频电路的3μm厚铜工艺.流片测试结果显示,基于低阻硅衬底制作的电感器件在很宽的频率范围内,其品质因子Q值超过10,最高达到19.1;建立了用于电路设计的精确电感宏模型,根据该模型仿真与实测得到的电感Q值与L值随频率变化的比较,发现在20 GHz的频率应用范围内该模型具有较高的精度,误差基本在10％以内,能够满足射频电路设计的需要.