退火温度对Nb掺杂SrTiO3薄膜光电化学性能的影响

来源 :中山大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liongliong507
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研究了Nb掺杂SrTiO3薄膜的光电化学性能及其对储氢合金薄膜的光充电性能。采用射频磁控溅射将SrTiO3薄膜沉积在镍片基体上,在300-600℃退火处理后,采用直流磁控溅射将LaNi3.9Al1.3储氢合金薄膜沉积在镍片基体的背面构成SrTiO3/Ni/储氢合金电极。随着Nb掺杂SrTiO3薄膜热处理温度的升高,阳极光电流和光充电性能先增大后减小。
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