【摘 要】
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采用改进的热分解法制备了具有半导体效应的CuInS2量子点,量子点尺寸均匀、大小为4.2 nm。组装的Au/CuInS2/FTO阻变存储器件表现出典型的双极性阻变特点,其开态电压为-3.8 V,
【基金项目】
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国家自然科学基金(No.51572205),教育部装备预研联合基金(No.6141A02022262)资助项目
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采用改进的热分解法制备了具有半导体效应的CuInS2量子点,量子点尺寸均匀、大小为4.2 nm。组装的Au/CuInS2/FTO阻变存储器件表现出典型的双极性阻变特点,其开态电压为-3.8 V,关态电压为4 V,ON/OFF开关比约为103。对器件的I⁃V特性曲线线性拟合发现,器件的阻变机制在高阻态时表现为空间限制电荷(SCLC)传导机制,在低阻态时表现为欧姆传导机制。器件的阻变特性主要是由于电荷被CuInS2薄膜中的缺陷产生的势阱捕获导致。通过调节陷阱势垒高度引起电荷在陷阱中移动,导致导电通路的产生和断
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