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通过对单晶硅外延表面反应机理和表面测试分析,发现抛光片表面粗糙程度对外延后0.12 um颗粒分布有影响。表面微粗糙度Ra在0.5~0.8 nm左右,经过外延生长,硅片表面经过颗粒检测仪(SP1)检测会出现0.12 um小颗粒聚集分布,通过工艺调整改进,Ra降低到0.2~0.4 nm,经过外延生长,硅片表面经过颗粒检测仪(SP1)检测发现0.12 um小颗粒聚集消失。