【摘 要】
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本文详细介绍了一种灵敏度很高的硅的微光探测器件.这种光电探测器是利用我们提出的注入光敏器件原理制成的.它的灵敏度高达10-10~2mA/Lx,峰值波长(λ_p=870nm)处的探测率为
【机 构】
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武汉大学物理系,武汉大学物理系,武汉大学物理系
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本文详细介绍了一种灵敏度很高的硅的微光探测器件.这种光电探测器是利用我们提出的注入光敏器件原理制成的.它的灵敏度高达10-10~2mA/Lx,峰值波长(λ_p=870nm)处的探测率为 2.5 × 10~(12)W~(-1).
This article details a very sensitive silicon photoluminescence detector fabricated using our proposed photo-sensing device principle with a sensitivity of 10-10 ~ 2mA / Lx and peak wavelength ( λ_p = 870nm), the detection rate is 2.5 × 10 ~ (12) W ~ (-1).
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