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本文首先从理论上分析ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ隧氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响，然后给出了在不同擦写条件下ＦＬＯＴＯＸＥＥＰＲＯＭ存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果，接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象，对于低的擦写电压，擦除阈值减少，在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷；对于高的擦写电压，擦除阈值增加产生了正陷阱俘获电荷，这一结果与ＳｉＯ２中电荷的俘获－－