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摘要：采用Cu、In双靶，直流磁控溅射的方法制备Cu-In薄膜，然后采用固态源硒化的方法形成CuInSe2（CIS）薄膜。采用SEM和EDX观察和分析了样品的表面形貌和成分，用XRD表征了薄膜的组织结构。分析了硒化中的反应过程并研究了热处理对改善薄膜质量的影响。结果表明，Cu-In预制膜主要以CuIn相形式存在。由CuIn相为主相的预制膜制成的CIS薄膜具有单一的CuInSe2相黄铜矿结构，且其成分接近CuInSe2化学计量比。