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采用新型陶瓷先驱体聚合物-含乙烯基聚硅氮烷（PSZ）连接无压烧结SiC陶瓷。研究了PSZ的裂解过程以及连接温度、浸渍/裂解增强处理、惰性填料对连接强度的影响，并对连接区域微观结构进行了分析。结果表明，在1200～1400℃温度范围内，PSZ的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。随着连接温度的升高，连接强度先升高后降低；浸渍/裂解增强处理可较大幅度提高接头强度；另外加入适量的纳米SiC填料可有效提高连接强度。当连接温度为1300℃，纳米SiC填料（质量分数）为5％时，经三次增强处理的连接件接头剪切强度达33