【摘 要】
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2014年9月意法半导体最先进的STripFETTMF7系列低压功率MOSFET产品新添三款100 V汽车级产品。STH315N10F7-2、STH315N10F7-6和STP315N10F7优化了体-漏极二极管(body-drain di
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2014年9月意法半导体最先进的STripFETTMF7系列低压功率MOSFET产品新添三款100 V汽车级产品。STH315N10F7-2、STH315N10F7-6和STP315N10F7优化了体-漏极二极管(body-drain diode)性能,在工作电压范围内最大限度降低峰值电压、脉冲和开关噪声,实现更稳定、更可靠和更高效的设计。
September 2014 Three newest 100 V automotive-grade products added to ST’s state-of-the-art STripFET ™ F7 family of low-voltage power MOSFET products. The STH315N10F7-2, STH315N10F7-6, and STP315N10F7 optimize body-drain diode performance to minimize peak voltage, pulse, and switching noise over the operating voltage range for a more stable, reliable, and efficient design.
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