【摘 要】
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随着集成电路的集成度不断提高,化学机械平坦化（CMP）后清洗在半导体工艺中显得尤为重要。本文介绍了一种自主研发的新型碱性清洗液,其主要成分为FA/OII型螯合剂和O-20非离子表
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院,天津市电子材料与器件重点实验室
【基金项目】
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国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目（2016ZX02301003-004-007）,国家自然科学基金资助项目（NSFC61504037）,河北省博士后择优资助项目（B2015003010）
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随着集成电路的集成度不断提高,化学机械平坦化（CMP）后清洗在半导体工艺中显得尤为重要。本文介绍了一种自主研发的新型碱性清洗液,其主要成分为FA/OII型螯合剂和O-20非离子表面活性剂。FA/OII型螯合剂是一种有机胺碱,不仅能调节p H值,还能在CMP条件下与表面生成的Cu O和Cu（OH）x发生反应生成稳定可溶的络合物,同时使化学吸附在表面的Si O2随着氧化物或氢氧化物的脱落而脱离表面;O-20活性剂的表面张力较低,容易在晶圆表面铺展,将物理吸附在表面的颗粒托起,被清洗液带走。通过一系列对比试验得出,当清洗液中FA/OII型螯合剂的体积分数为0.015%,表面活性剂的体积分数为0.25%时,晶圆表面的颗粒数由抛光后的3200降到611,而且表面粗糙度较低,为1.06 nm,没有腐蚀现象。
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