【摘 要】
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利用电容-电压(C-V)测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属-氧化物-半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响.研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2/Si衬底界面态对电荷存
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利用电容-电压(C-V)测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属-氧化物-半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响.研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2/Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用.长时间存储模式下的电荷存储行为主要由存储电荷从深能级陷阱直接隧穿到SiO2/Si衬底界面态决定.
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