【摘 要】
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本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN 肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化.从实验
【机 构】
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微电子技术四川省重点实验室,四川大学
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本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN 肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化.从实验中观测到,随着辐照注量的不断增加,GaN光敏器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大.证实了辐照后Au/GaN间产生的界面态是引起GaN肖特基势垒光敏器件辐照失效的原因.另外,在研究辐照效应对GaN 肖特基二管光敏特性的影响时观测到,经过一定剂量的辐照后,GaN 肖特基二管能探测到380nm的紫外光和可见光,而在辐照以前,它是探测
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