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对用磁控溅射方法在硅基上直接沉积La0.8Sr0.2MnO，和引入SrMnO，（SMO）阻挡层后沉积La0.8Sr0.2MnO，进行了比较。对薄膜结构用X射线衍射试验表征，并分析了薄膜取向生长的原因。卢瑟福背散射实验结果表明，SMO阻挡层的引入显著地削弱了LSMO和si界面层处的元素互扩散。电学测试表明LSMO／SMO／Si结构比LSMO／Si结构具有更好的P—n结整流特性，而且随SMO缓冲层的增厚，整流特性反而削弱。