【摘 要】
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用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显
【机 构】
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南昌大学物理学系,南昌大学材料科学与工程系,北京师范大学低能物理所教育部射线束材料工程开放实验室,复旦大学应用物理表面国家重点实验室 江西南昌330047,江西南昌330047,北京100875,上海
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用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdSi相转变。
With MEVVA ion source of rare earth Nd ions into the silicon substrate, you can synthesize a good performance neodymium silicon compounds. The samples were observed by electron microscopy and X-ray diffraction. As the annealing temperature increased, the sheet resistance (R d) of the implanted layer decreased significantly. Two kinds of neodymium silicide phases, Nd5Si4 and NdSi, were formed in the implanted layer, change.
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