【摘 要】
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基于硅基65 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺,设计了一款工作频率为91.6~93.2 GHz的压控振荡器(Voltage Control Oscillator,VCO)。使用基于变压器结构的高品质因子电感改善了VCO电路的相位噪声,并采用金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)开关阵列和变容管共同实现了该VCO电路
【机 构】
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中国电子科技集团公司信息科学研究院,杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,毫米波国家重点实验室
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基于硅基65 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺,设计了一款工作频率为91.6~93.2 GHz的压控振荡器(Voltage Control Oscillator,VCO)。使用基于变压器结构的高品质因子电感改善了VCO电路的相位噪声,并采用金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)开关阵列和变容管共同实现了该VCO电路
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