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大数据时代的城乡规划与智慧城市研究
【机 构】
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武汉和创建筑工程设计有限公司 430000
【出 处】
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建筑工程技术与设计
【发表日期】
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2020年17期
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对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比较的异同进行了研究。研究结果表明,栅源重叠宽度和宽长比对8型栅关态漏电流的影响相比直栅可以忽略不计;任一几何尺寸8型栅NMOS饱和漏极电流在不同辐射总剂量下相比直栅有着良好的稳定性。同时,小宽长比8型栅饱和漏极电流的差异来源于栅源重叠宽度的不同,大宽长比8型栅饱和漏极电流的大小不再受到栅源重叠宽度的影响;180nm工艺下不同几何尺寸8型的栅阈值电压在测试中都稳定在0.41V,显著优
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