【摘 要】
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利用水热合成法制备了直径为50～80 nm、长度为2～3 pm的α-MnO2纳米线;在a-MnO2纳米线表面接枝聚苯乙烯磺酸钠(PSSNa);以MnO2-g-PSSNa为模板,利用原位氧化聚合在MnO2纳米线表面
【机 构】
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利用水热合成法制备了直径为50～80 nm、长度为2～3 pm的α-MnO2纳米线;在a-MnO2纳米线表面接枝聚苯乙烯磺酸钠(PSSNa);以MnO2-g-PSSNa为模板,利用原位氧化聚合在MnO2纳米线表面沉积聚(3,4-二氧乙烯基)噻吩(PEDOT).MnO2-g-PSSNa与EDOT的质量比对MnO2@PEDOT的形貌有决定性的影响,当m(MnO2-g-PSSNa)∶m(EDOT)≤1∶1时,得到中空的PEDOT纳米管.循环伏安和充放电试验表明,所制备的MnO2@PEDOT有良好的电容性能,当m(MnO2-g-PSSNa):m(EDOT)= 1 ∶1时,MnO2@PEDOT的比电容高达62.9 F/g(MnO2的比电容为18.5 F/g).
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