【摘 要】
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一、CMOS电路中的锁定现象CMOS电路是在同一硅衬底上同时具有P沟及N沟MOS管的结构,因此,其内部存在着寄生的纵向npn和横向pnp晶体管,构成pnpn寄生可控硅结构。其剖面图及等
【机 构】
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一、CMOS电路中的锁定现象CMOS电路是在同一硅衬底上同时具有P沟及N沟MOS管的结构,因此,其内部存在着寄生的纵向npn和横向pnp晶体管,构成pnpn寄生可控硅结构。其剖面图及等效电路图示于图1及图2。
First, the phenomenon of locking CMOS circuits CMOS circuit is in the same silicon substrate at the same time with the P-channel and N-channel MOS tube structure, therefore, its internal presence of vertical and horizontal npn npn pnp transistor form pnpn parasitic thyristor structure. The cross-sectional view and equivalent circuit diagram are shown in FIG. 1 and FIG.
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