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运用网体与分子经验电子理论（EET）计算了Al-Cu-Mg合金时效过程中产生的GPBZ和S″相的价电子结构以及a-Al／GPBZ和a-Al/S″两相之间的界面电子结构。结果表明：亚稳定S″相的总体键强高于GPBZ，对合金基体具有沉淀强化的作用；同时a-Al、S″两相界面非常连续，对合金基体具有界面强化效果。反映了从GPBZ向S″相转变的相变过程，与实验结果一致。