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基于SIMC0．18μmRFCMOS工艺技术，设计了可用于3．1—10．6GHzMB—OFDM超宽带接收机射频前端的CMOS低噪声放大器（LNA）。该LNA采用三级结构：第一级是共栅放大器，主要用来进行输入端的匹配；第二级是共源共栅放大器，用来在低频段提供较高的增益；第三级依然为共源共栅结构，用来在高频段提供较高的增益，从而补偿整个频带的增益使得增益平坦度更好。仿真结果表明：在电源电压为1．8v的条件下，所设计的LNA在3．1～10．6GHz的频带范围内增益（521）为20dB左右，具有很好的增益平坦性f