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室温下在玻璃衬底上，采用射频磁控溅射GZO（Ga掺杂ZnO）膜和离子束溅射Ag膜的方法，制备了GZO／Ag／GZO三层膜，分析了真空退火温度对样品结构、光学、电学性能的影响。结果显示：随着退火温度的升高，Ag层的结构得到明显改善，但GZO层结晶度受到了Ag扩散的影响。经过350℃退火后，样品在可见光区平均透射率达92．63％，电阻率由8．0×10^-5Ω·cm降至4．0×10^-5Ω·cm。