SiO2/SiC界面过渡区结构研究

来源 :第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lw8307817
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采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,使用浓度为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1nm~1.5nm)氧化膜SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱技术(ADXPS)对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的成分分布情况,适合用一个分层模型来描述,进而建立了过渡区成分分布的原子级结构模型。
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