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针对惯性约束性聚变（ICF）实验中高分辨靶源辐射成像的需要，对结合电子束光刻和X射线光刻制作大高宽比菲涅尔波带片的制作工艺进行了研究。首先采用带有自支撑薄膜的衬底进行电子束光刻和微电镀技术来制作X射线光刻掩膜，以此来降低电子束光刻过程中的背散射，然后采用多次X射线曝光和全水电镀的方法来增强大高宽比图形的抗倒性，从而完成了大高宽比波带片结构的制作。对所制作的自支撑波带片最外环宽度为350 nm，厚度为3.5μm，高宽比达到10，侧壁陡直且具有优良的结构质量，可用于10 keV~30 keV波段的硬X射线成像