【摘 要】
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海力士半导体公司(HynixSemiconductor)近日宣布,已使用最细微技术研发出全球密度最高内存芯片。海力士这种崭新的“DDR3DRAM”(DDR3动态随机存取内存)芯片采用的技术,能让内
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海力士半导体公司(HynixSemiconductor)近日宣布,已使用最细微技术研发出全球密度最高内存芯片。海力士这种崭新的“DDR3DRAM”(DDR3动态随机存取内存)芯片采用的技术,能让内部线路相距仅40奈米,细微度是目前产品的1/5。一奈米等于10亿分之一公尺。制程越细微,制造内存芯片的技
Hynix Semiconductor recently announced that it has developed the world’s highest density memory chips using the smallest technology. Hynix’s new “DDR3DRAM” (DDR3 DRAM) chip technology allows internal circuits to be separated by only 40 nanometers, and the fineness is 1/5 of the current product. One nanometer equals one billionth of a meter. The more subtle process, the technology of memory chips
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