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为了深入揭示γ和β射线辐照对GaAs霍尔器件的影响规律，在无源、无磁场作用时的辐照研究基础上，又用低剂量率γ和β射线对恒流激励、无磁场和有确定磁场作用的器件进行非永久辐照，考察了输入端电阻及霍尔输出电压的变化。结果表明，无磁场作用时，γ和β射线辐照均导致器件输入端电阻增加，而且与辐照时间近似成正比；有确定磁场作用时，输入端电阻与霍尔输出电压也因辐照发生变化，但与辐照时间没有确定关系，而且变化量较小。所有变化均不因辐照停止而消失，反应了常温退火过程对辐射损伤的不可恢复性。上述结果不仅从一定程度上证实了辐射损