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据媒体报道，近日，中科院上海光学精密机械研究所承担的“新型GaN基LED荧光衬底一掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”项目通过验收。该项目通过优化生长工艺，制备出了稀土离子或过渡金属离子掺杂的MgA16O10、ScAlMgO4单晶，在新型荧光衬底发光结构的白光LED制备上形成一条新的技术路线。
新型白光LED制备研究获新进展
【摘 要】
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据媒体报道，近日，中科院上海光学精密机械研究所承担的“新型GaN基LED荧光衬底一掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”项目通过验收。该项目通过优化生长工艺，制备出了稀土离子或过渡
【出 处】
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功能材料信息
【发表日期】
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2010年5期
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