超晶格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响

来源 :山西大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wslin001

【摘要】

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提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法．采用分子束外延生长GaAs／InAs短周期超晶格作覆盖层，可以拓展量子点发光波长至1．3μm～1．5μm．研究了不同超晶格周期作覆盖层对InAs量子点

【作者】

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牛智红任正伟贺振宏

【机构】

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山西省综合职业技术学院轻工分院,中国科学院半导体研究所

【出处】

：

山西大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

量子点超晶格光荧光覆盖层 quantum dot superlattice photoluminescence covering layer

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提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法．采用分子束外延生长GaAs／InAs短周期超晶格作覆盖层，可以拓展量子点发光波长至1．3μm～1．5μm．研究了不同超晶格周期作覆盖层对InAs量子点的晶体结构和光学特性的影响：发现随测试温度的升高，量子点的PL发光强度增强的一种反常现象．认为这是不同量子间载流子输运的结果．

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