【摘 要】
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对 0 .1微米级 MOS器件的制作方法进行了研究 ,并提出了两次曝光的新方法。文中还介绍了芯片制作所用版图设计和实际制作过程 ,得到了最小沟道长为 0 .12微米的 MOS器件。最
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所 北京,100084,北京,100084
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对 0 .1微米级 MOS器件的制作方法进行了研究 ,并提出了两次曝光的新方法。文中还介绍了芯片制作所用版图设计和实际制作过程 ,得到了最小沟道长为 0 .12微米的 MOS器件。最后对沟长 0 .12、0 .19和 0 .2 5微米的 MOS器件特性进行了测试 ,得出了 0 .1微米级 MOS器件电特性随沟道长度变化的关系
The fabrication method of 0. 1 micron MOS device is studied, and a new method of double exposure is proposed. The article also introduces the layout design and the actual fabrication process used in the chip production, and obtains the MOS device with the smallest channel length of 0.12 microns. Finally, the characteristics of MOS devices with 0.12, 0.19 and 0.25 μm of trench length were tested and the relationship between the electrical characteristics of the 0.1 micron MOS device and the channel length was obtained
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