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对AE4620厚胶紫外光刻工艺进行了实验研究,探讨了其工艺特性及光刻胶层的刻蚀面形与各种工艺条件的关系,提出了刻蚀高深宽比、最佳浮雕面形所需的工艺条件。通过对光刻工艺过程的研究, 可为较好地控制正性光刻胶面形,制作微机械、微光学器件提供了参考依据,对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义。
用于微器件加工的AZ4620厚胶光刻工艺研究
【摘 要】
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对AE4620厚胶紫外光刻工艺进行了实验研究,探讨了其工艺特性及光刻胶层的刻蚀面形与各种工艺条件的关系,提出了刻蚀高深宽比、最佳浮雕面形所需的工艺条件。通过对光刻工艺过
【机 构】
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四川大学物理学院,微细加工光学技术国家重点实验室,陕西理工学院物理系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2005年07期
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