【摘 要】
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对经 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的不同介质膜 InPMIS结构样品的界而陷阶进行了研究.样品介质膜的生长是在特定实验条件下进行.分别利用C-V(Capa
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所
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对经 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的不同介质膜 InPMIS结构样品的界而陷阶进行了研究.样品介质膜的生长是在特定实验条件下进行.分别利用C-V(Capacitance-Voltage)和 DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)技术进行研究.结果表明,在介质膜和InP之间InP 一侧有若干界面陷阱存在,获得了与界面陷阱有关的深能级参数.这些陷阱的来源可能是:(1)介质膜淀积过程中InP表面部分P原子挥发造成的P空位;(2)InP衬底材料中的原生缺陷;(3)介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤.
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