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英飞凌科技股份公司（FSE：IFX／OTCQX：IFNNY）日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40VOptiMOSP2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。
英飞凌全新推出的汽车电源管理40VP沟道OptiMOSP2芯片可改进EPS、电机控制装置和电动泵的能效并节约成本
【摘 要】
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英飞凌科技股份公司（FSE：IFX／OTCQX：IFNNY）日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40VOptiMOSP2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了
【出 处】
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电子设计工程
【发表日期】
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2011年18期
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