数值模拟分析

来源 :北方建筑 | 被引量 : 0次 | 上传用户:winter2009
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数值模拟分析,是指以电子计算机为工具,结合数值计算和图像显示的方法研究自然界和工程的各类问题。例如港口防波堤平面布置的数值模拟,通过计算波浪传播效应,并将结果显示在屏幕上,可以清晰、形象地看到波浪折射、绕射等传播变形的细节。另外还可模拟航道和港池对港内波高分布的影响、潮流的环流位置、泥沙冲淤在建筑物周围引起的海床变形的详细情况等。有了这些模拟结果,
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山区城市道賂在设计过程中,应对关键节点段提出合理的方案,从技术、经济、建设期、土地的开发利用价值等多方案进行比选,做到经济合理、方案可行、措施得当,从而提升设计的专业水平和可再生资源的利用价值,因此设计方案比选尤为重要。本文以印江县岩底片区玉屏路为例,从3个不同的方案进行综合比选,详细分析山区的地形地貌,收集相关的地质水文资料,梳理道胳设计的控制条件,通过对道路平、纵、横设计要件,综合考虑道略交通功能和服务水平,选用经济合理的技术指标,达到道路功能完备、交通安全有保障,满足项目的可实施性、可操作性,进一步
当前建筑项目工程开发资金严重浪费,为解决此问题,本文提出用于建筑工程造价的项目全过程投资控制方法研究。估算建设项目的投资数值,评价建筑项目的经济发展能力。分析建筑工程项目的总投资构成情况,在确定项目投资控制目标的同时,从准备工作、合同管理等多各方面,分析全过程投资的具体控制内容及其实施途径。由此确定全过程投资控制可以有效控制工程造价。
随着城市建筑物数量的不断增加,混凝土的用量也逐渐增大,作为其原材料之一的天然砂,目前已经面临枯竭的趋势,机制砂的使用很好地解决了天然砂短缺的问题,机制砂替代天然砂已经成为混凝土行业发展的趋势之一。石粉作为机制砂生产过程中出现的产物,其岩石种类、含量、细度等都会对聚羧酸减水剂的使用效果产生一定的影响,从而影响混凝土拌合物的性质。本文论述了机制砂石粉种类及特点,探讨了硅质、钙质2种石粉的掺量和细度变化对聚羧酸减水剂使用效果的影响,并对机制砂混凝土今后的研究发展提出展望。
物体(固、液体)表面吸收周围介质中其他物质的分子(如各种无机离子、有机极性分子、气体分子等)的性能。温石棉由于力场强度和内表面积大,故有很大的吸附能力。石棉纤维吸附性是石棉湿纺和生产石棉水泥制品的重要物性特征。物质从体相浓集到界面上的一种性质。例如,气相中的某些物质可以在固体表面上浓集;液体中某些物质可以在气-液界面、液-液界面和固-液界面上浓集。通常把能有效吸附其他物质的固体称为吸附剂,被吸附的物质称为吸附质。
油页岩资源,是指在地壳内由地质作用形成具有经济意义的固体自然富集物,根据产出形式、数量和质量可以预期,最终的开采是技术上可行、经济上合理的。其位置、数量、品位、质量、地质特征是根据特定的地质依据和地质知识确定和估算的。按照地质可靠程度,可分为油页岩查明资源和油页岩潜在资源。
随着我国现代社会经济的快速发展,城市建设进程加快,地铁建设规模不断扩大,如何打造优质地铁环境,成为人们研究的焦点问题之一。地铁换乘站是城市地铁网络的重要构成,是人们换乘地铁线路的枢纽,换乘站的建筑设计能够直接影响日后的使用情况,影响人们在换乘站中的体验感。本文简要阐述了城市地铁换乘站的建筑设计需求,分析了城市地铁换乘站建筑设计的基本原则,提出具体的城市地铁换乘站建筑设计思路,以期能够为城市地铁交通基础设施的建设与发展提供有价值的参考资料。
为改善InP籽晶表面洁净度,保证InP材料生长时的电学参数并减小引晶阶段孪晶形成概率,设计了InP籽晶表面处理装置。该装置采用动态方式对籽晶表面进行处理,采用原子力显微镜扫描处理后籽晶的表面形貌,结果显示籽晶表面无杂质和沾污。通过在晶体引晶部位的不同位置取样进行霍尔测试。测试结果显示,用常规静态方式和动态方式处理的籽晶,其生长出晶体引晶部分的样品的平均迁移率分别约为4 100 cm2/(V·s)和4 600 cm2/(V·s),平均载流子浓度分别约为7×10
承压水是充满2个隔水层之间的含水层中的地下水,它有2种不同的埋藏类型,即埋藏在第1个稳定隔水层之上的潜水和埋藏在上下2个稳定隔水层之间的承压水.典型的承压含水层可分为
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近日,天津市政府印发《天津市老旧房屋老旧小区改造提升和城市更新实施方案》(以下简称《方案》),明确该市老旧房屋改造提升重点任务。《方案》提出,天津市将对城市建成区范围内没有独用卫生间或厨房的非成套住房及经鉴定确定的危险房屋,在保护历史文化和城市风貌的前提下,进行成套化改造,完善功能设施,改善人居环境。老旧房屋改造提升分为保护、改建、重建3种方式。
研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE)。通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响。仿真结果显示DSOI NMOSFET的背栅引出结构形成了额外的散热通道。重点研究了器件电压和环境温度对SHE的影响,结果表明随着漏极和栅极电压的增加,器件体区晶格温度升高,SHE增强;随着环境温度的升高,退化电流降低,SHE减弱。此外,重点分析了背栅偏置电压对器件SHE的影响,研究发现负的背栅偏置电压对全耗尽绝缘体上硅和DSOI NMOSFET