【摘 要】
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首先从吸附能的角度论述了苯并三唑(BTA)在铜上的吸附类型以及成膜过程,然后综述了关于铜化学机械抛光(CMP)后清洗中去除残留BTA的研究进展,最后对新型缓蚀剂的出现以及在集成电路制造中应用的缓蚀剂的未来研究方向进行了概述.
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
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首先从吸附能的角度论述了苯并三唑(BTA)在铜上的吸附类型以及成膜过程,然后综述了关于铜化学机械抛光(CMP)后清洗中去除残留BTA的研究进展,最后对新型缓蚀剂的出现以及在集成电路制造中应用的缓蚀剂的未来研究方向进行了概述.
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