【摘 要】
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将SiGe材料的优异性能与半超结结构的优势相结合,提出了一种半超结SiGe功率二极管,可适应高频化电力电子电路对功率二极管低通态压降、高击穿电压、较小的反向漏电流以及快而
【机 构】
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西安理工大学应用物理系,西安理工大学电子工程系,
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将SiGe材料的优异性能与半超结结构的优势相结合,提出了一种半超结SiGe功率二极管,可适应高频化电力电子电路对功率二极管低通态压降、高击穿电压、较小的反向漏电流以及快而软的反向恢复特性的要求,显著提高器件的各种特性.
Combining the superior performance of SiGe with the advantages of the semi-super junction structure, a semi-super-junction SiGe power diode is proposed to meet the low-pass voltage drop and high breakdown voltage of power diodes in high-frequency power electronic circuits. Small reverse leakage current and fast and soft reverse recovery characteristics, significantly improve the device’s various characteristics.
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