【摘 要】
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半导体技术的飞速发展对失效分析的效率要求也越来越高。为了提高失效分析过程中透射电镜（TEM）样品制备的速度和效率,本文介绍了四种提高聚焦离子束（FIB）制备透射电镜样品的方法,
【机 构】
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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半导体技术的飞速发展对失效分析的效率要求也越来越高。为了提高失效分析过程中透射电镜（TEM）样品制备的速度和效率,本文介绍了四种提高聚焦离子束（FIB）制备透射电镜样品的方法,针对每一种方法,文中详细描述了该方法的改善步骤并展示了改善后的效果。通过FIB样品制备方法的优化和改善,实现了在不同情况下,针对特定的区域同时制备两个或多个TEM样品的目标,使得用TEM可同时完成对多个位置的观测,达到了提高TEM样品制备效率和产出量的目标。实践证明,对于45纳米以及更先进的半导体器件失效分析,使用优化后的样品制备方
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