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研究了一种利用金属自组装纳米掩膜和ICP刻蚀对AlGaInP基发光二极管（LED）表面进行粗化的技术，使光输出得到了提高。粗化了的AlGaInP基LED比常规的AlGaInP基LED，光强提高了27％，光功率提高了12．6％，实验结果具有可重复性。可以进一步优化Au颗粒的周期和分散程度，提高AlGaInP基LED的提取效率。