改善半导体聚合物的电致发光量子效率

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某些共轭聚合物具有发光性能,有望作为发光二极管之类应用,其性能主要受最大可能的理论电致发光效率的限制[1,2].若最低能量激发态强束缚激子处于单线态或三线态下的电子-空穴对),则电致发光的理论上限仅为相应光致发光量子效率的25%:即一个处于π*-带内的电子和一个处于π-带的空穴(或缺少电子态)可形成一种自旋多重性为3的三线态,或一种自旋多重性为1的单线态.只有单线态才能辐射跃迁而发光[3].如果电子-空穴对的束缚能足够弱的话,电致发光和光致发光的最大量子效率之比理论上可接近于1.在本文,我们将报导,若在共
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