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采用交流阻抗和白光电流测量法 ,研究了锑在恒电位 1.2V(VS .SCE)于 0 .0 2 5mol.dm- 3Na2 CO3+0 .0 2 5mol.dm- 3Na2 HCO3+0 .50 0mol.dm- 3Na2 SO4 (PH =9.98,30℃ )缓冲溶液中阳极形成膜半导体性质。实验证明 ,该阳极氧化膜是一种n -型半导体 ,其平带电位Efb和施主密度ND 分别为- 0 .53V(VS .SCE)和 2 .86× 10 18cm- 3。