【摘 要】
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为了更好地评估碳化硅（Silicon carbide,SiC）MOSFET在功率变换装置中的性能,需要建立精确的SiC MOSFET模型。针对传统的SiC MOSFET的建模方法的不足,在Matlab/Simulink环境中提
【基金项目】
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国家自然科学基金(51177003,61472228)资助项目;安徽高校自然科学研究(KJ2016A805)资助项目;安徽省自然科学基金(1508085 MF129)资助项目
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为了更好地评估碳化硅（Silicon carbide,SiC）MOSFET在功率变换装置中的性能,需要建立精确的SiC MOSFET模型。针对传统的SiC MOSFET的建模方法的不足,在Matlab/Simulink环境中提出了一种基于先进迁移率模型的SiC MOSFET模型。利用Matlab/Simulink强大的数学处理能力和丰富的模块功能,该模型考虑了实际SiC/SiO2界面特性的影响。利用SiC MOSFET的产品手册中的实测曲线和所搭建的实验电路的测试结果验证了所建立模型的准确性。基于所建立的
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