【摘 要】
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基于0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器工艺提出一种新型的低暗计数率(Dark Count Rate)单光子雪崩二极管(SPAD)器件.该器件是利用P+/LNW(Light N-well doping)结
【机 构】
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湘潭大学物理与光电工程学院,湖南省微光电与系统集成实验室,
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基于0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器工艺提出一种新型的低暗计数率(Dark Count Rate)单光子雪崩二极管(SPAD)器件.该器件是利用P+/LNW(Light N-well doping)结检测光子,并通过低浓度的N型扩散圆形保护环抑制边缘击穿,确保其工作在盖格模式.测试结果表明在室温环境下,直径为8μm的SPAD器件,雪崩击穿电压为14.2 V,当过调电压设置为2 V时,暗计数率为260 Hz,具有低的暗计数率特性.
A new type of single photon avalanche diode (SPAD) device with low count rate (Dark Count Rate) is proposed based on 0.18μm CMOS image sensor technology. The device is based on P + / LNW (Light N-well doping) ) Junction photons, and through the low concentration of N-type diffusion circular guard ring inhibit edge breakdown to ensure that it works in the Geiger mode test results show that at room temperature, a diameter of 8μm SPAD device, the avalanche breakdown voltage of 14.2 V, with a dark count rate of 260 Hz when the overshoot voltage is set to 2 V, with low dark count rate characteristics.
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