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叙述了本征热激发载流子浓度对功率半导体器件的重大影响，希望得到一个理论符合实际的定量计算公式。比较国内外权威的本征热激发载流子浓度公式，经过计算并与晶闸管,整流管漏电流的实测数据相比较，初步认定S K Ghandhi给出的本征热激发载流子浓度公式可以作为适用于功率半导体器件的简明公式，并进行了适当的理论说明及公式意义的阐述。