一种0.9V低电压低本振功率CMOS有源混频器

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设计了一种可工作于0.9V低电压和-5dBm本振功率的CMOS有源混频器。通过在MOS管栅极和衬底间引入耦合电容,利用衬底效应加快MOS管的导通和截止,使开关对的开关状态更理想,有效地降低混频器的噪声并提高其线性特性。采用0.18μmCMOS工艺设计,在2.45GHz本振信号和2.44GHz射频信号输入下,实验结果表明该混频器可有效地实现混频且具有较好的性能指标:电压转换增益为12.4dB,输入三阶截断点为-0.6dBm,输入1dB压缩点为-3.4dBm,单边带噪声系数为12dB。
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