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以高纯（6N）Cd、Ge和As单质为原料，按CdGeAs2的化学计量比配料，采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs2多晶锭，经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs2多晶．用20℃／min的升温和降温速率对合成的CdGeAs2多晶进行了DTA分析，结果显示CdGeAs2多晶的熔化温度为669．24℃、结晶温度为615．55℃．根据DTA分析结果设计CdGeAs2晶体生长温场，采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为①15mm×45mm的CdGeAs2晶体，