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以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料，采用喷雾热解法在玻璃基片上制备了掺锑二氧化锡（SnO2：Sb）透明导电薄膜。用X光电子能谱分析仪（XPS）、X射线衍射仪（XRD）和紫外一可见光吸收谱仪分别对样品进行了表征，且对其结构、电学和光学特性作了研究。实验结果表明：薄膜仍为金红石型结构，在Sb的掺杂量为（1．0～1．5）wt％（质量百分比）和基片温度为500℃时，薄膜方阻为0．8～3．5Ω／□，可见光透过率达80％，红外光反射率达到80％。样品在O2，N2中进行热处理，其电导率呈有规律的变化趋势