【摘 要】
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给出了一种多层膜巨磁电阻(GMR)磁场传感器,利用剥离工艺将其制作在SiO2/Si衬底上,该传感器芯片主要由4个多层膜巨磁电阻连接形成惠斯通电桥,每个巨磁电阻由4部分组成,由下到
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61971180)
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给出了一种多层膜巨磁电阻(GMR)磁场传感器,利用剥离工艺将其制作在SiO2/Si衬底上,该传感器芯片主要由4个多层膜巨磁电阻连接形成惠斯通电桥,每个巨磁电阻由4部分组成,由下到上分别为衬底(SiO2/Si)、底电极(Al层)、(Co/Cu/Co)n多层膜和顶电极(Al层)。基于巨磁电阻效应,当外加磁场时,电阻条的阻值发生改变,惠斯通电桥输出电压随外加磁场发生改变。在室温条件下,当VDD=5.0 V时,采用磁场发生器系统对传感器磁敏特性进行了测试和分析,在-0.1~0.1 mT的磁场范围内,制备的(Co
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