【摘 要】
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SOI(Silicon on Insulator)材料是发展高速CMOS-LSI(Complementary matal-oxide-semiconductor-large scale integrated circuits)和三维集成电路的理想材料。最近几年,利用
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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SOI(Silicon on Insulator)材料是发展高速CMOS-LSI(Complementary matal-oxide-semiconductor-large scale integrated circuits)和三维集成电路的理想材料。最近几年,利用激光、电子束和移动石墨舟加热等方法来实现绝缘层上多晶硅熔化再结晶,这些方法有可能获得一种优质、廉价且容易和现在的VLSI工艺技术相容的新的SOI材料。本文,报道了用连续Ar~+
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