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<正>宽禁带半导体是指禁带宽度E_g＞2．0～6．0eV的一类半导体,如GaN、AlN、AlGaN、SiC、4H-SiC、6H-SiC等。它是继以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体之后发展起来的第三代半导体。宽禁带半导体技术是一项战略性的高新技术,具有极其重要的军用价值和民用价值。用
宽禁带半导体技术的研究与开发在欧美快速展开
【摘 要】
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<正>宽禁带半导体是指禁带宽度E_g＞2．0～6．0eV的一类半导体,如GaN、AlN、AlGaN、SiC、4H-SiC、6H-SiC等。它是继以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体之后发展起来的第三代半导
【出 处】
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电子与封装
【发表日期】
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2006年07期
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