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采用氢化物气相外延（HVPE）法生长出了高质量的厚层GaN基片。用高分辨X射线双晶衍射仪（DCXRD）及测厚仪对以N2和H2、N2混合为载气生长的基片进行测试。结果表明载气中通入H2可获得较高质量的GaN晶体,同时可以大大降低晶片的弯曲度,便于GaN材料的应用。
载气对氢化物气相外延生长厚层GaN基片的影响
【摘 要】
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采用氢化物气相外延（HVPE）法生长出了高质量的厚层GaN基片。用高分辨X射线双晶衍射仪（DCXRD）及测厚仪对以N2和H2、N2混合为载气生长的基片进行测试。结果表明载气中通入H2可获得
【机 构】
：
中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
：
天津科技
【发表日期】
：
2012年1期
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